9）負載變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它條件不變時，由于負載阻抗在規(guī)定范圍內變化引起的相對于規(guī)定的負載條件時的頻率偏移。10）電源變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%)晶振當需要標準XO(晶體振蕩器)或VCXO(壓控晶體振蕩器)無法達到的溫度穩(wěn)定性時,TCXO是必需的.溫度穩(wěn)定性是振蕩器頻率隨溫度變化的量度,并且以兩種方式定義.一種常見的方法是使用“加/減”規(guī)格(例如：±0.28ppm對比工作溫度范圍晶振

注：1）電壓范圍：用來調節(jié)頻率的電壓的可調范圍。常見的有0～3.3V,0.3～3.0V,0～5V,0.5～4.5V等。2）壓控范圍：壓控電壓在電壓范圍內變化的時候，振蕩器的頻率能夠變化的范圍。3）極性：當振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時候，壓控極性為正極性，反之為負極性。,參考25°C-溫度范圍通常為-40至85°C或-20至70°C).該規(guī)范告訴我們,如果我們將25°C的頻率設為標稱頻率,則器件頻率將偏離或低于該標稱頻率不超過0.28ppm.這與指定溫度穩(wěn)定性的第二種方式不同,即使用峰峰值或僅使用沒有參考點的正/負值.在第二種情況下,我們不能說我們知道頻率會高于或低于頻率將會發(fā)生多大變化-只是我們知道總的范圍是多少.通常,使用來自定義的參考點的正負值來指定設備.溫補晶振，恒溫晶振，壓控晶振，普通鐘振，這些都是有源晶振，所以有源晶振肯定需要電源加入才能工作。恒溫晶振，由于晶體振蕩器的震蕩頻率會隨著溫度的變化而變化，故為了保持頻率的穩(wěn)定性，將晶振控制在一個恒定的溫度下工作以此來提高晶振的相頻特性。

晶振1、嚴格按照技術要求的規(guī)定，對石英晶體組件進行檢漏試驗以檢查其密封性，及時處理不良品并分析原因；2、壓封工序是將調好的諧振件在氮氣保護中與外殼封裝起來，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能圖3.溫度補償實現(xiàn)這一目標的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補償技術,其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導致網(wǎng)絡的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負載,從而導致頻率的變化.振蕩器.。在此工序應保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續(xù)沖氮氣，并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮氣流量是否正常，否則及時處理。其質量標準為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對稱不可歪斜。

晶振13）相位噪聲(Phasenoise)振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的頻域量度，通常用相應起伏功率譜密度Sψ(f)表示晶振全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應用的驅動。基于微機電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預測期內補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產品的制造使用標準的CMOS硅技術，與需要專門制造和封裝技術的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。，其中相位起伏函數(shù)為ψ(f)=2πFt-2πF0t注:抖動是振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的時域量度，實際上和相位噪聲都是頻率短期穩(wěn)定度的一種度量方式。